ASML已完成1nm光刻机设计
近日,与ASML(阿斯麦)合作研发光刻机的比利时半导体研究机构IMEC公布了3nm及以下制程的在微缩层面技术细节。具体来看,ASML对于3m、2nm、1.5nm、1nm甚至Sub 1nm都做了清晰的路线规划,且1nm时代的光刻机体积将增大不少。
显然,1nm光刻机需要更强大的物理极性,2nm之后需要更高分辨率的曝光设备。目前已经投入量产的7nm、5nm工艺已经引入了0.33NA的EUV曝光设备,而ASML已经完成了0.55NA曝光设备的基本设计,预计在2022年实现商业化。